Calculadora A a Z
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Magnetron oscilador
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✖
Densidade de dopagem refere-se à concentração de átomos dopantes em um material semicondutor. Dopantes são átomos de impureza introduzidos intencionalmente no semicondutor.
ⓘ
Densidade de dopagem [N
d
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
+10%
-10%
✖
A Barreira Potencial Schottky atua como uma barreira para os elétrons, e a altura da barreira depende da diferença da função de trabalho entre os dois materiais.
ⓘ
Barreira Potencial Schottky [V
i
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
Tensão de porta é a tensão desenvolvida na junção fonte de porta de um transistor JFET.
ⓘ
Tensão do portão [V
g
]
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
A região de largura de esgotamento é uma região em um dispositivo semicondutor onde não há portadores de carga gratuitos.
ⓘ
Largura da Zona de Depleção [x
depl
]
Angstrom
Unidade astronômica
Centímetro
Decímetro
Raio Equatorial da Terra
Fermi
Pé
Polegada
Quilômetro
Ano luz
Metro
Micropolegada
Micrômetro
mícron
Milha
Milímetro
Nanômetro
picômetro
Jarda
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Fórmula
✖
Largura da Zona de Depleção
Fórmula
x
depl
=
(
[Permitivity-silicon]
⋅
2
[Charge-e]
⋅
N
d
)
⋅
(
V
i
-
V
g
)
Exemplo
0.000159 m
=
(
[Permitivity-silicon]
⋅
2
[Charge-e]
⋅
9e22 /cm³
)
⋅
(
15.9 V
-
0.25 V
)
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Largura da Zona de Depleção Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Largura da região de esgotamento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densidade de dopagem
))*(
Barreira Potencial Schottky
-
Tensão do portão
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funções
,
4
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Largura da região de esgotamento
-
(Medido em Metro)
- A região de largura de esgotamento é uma região em um dispositivo semicondutor onde não há portadores de carga gratuitos.
Densidade de dopagem
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Densidade de dopagem refere-se à concentração de átomos dopantes em um material semicondutor. Dopantes são átomos de impureza introduzidos intencionalmente no semicondutor.
Barreira Potencial Schottky
-
(Medido em Volt)
- A Barreira Potencial Schottky atua como uma barreira para os elétrons, e a altura da barreira depende da diferença da função de trabalho entre os dois materiais.
Tensão do portão
-
(Medido em Volt)
- Tensão de porta é a tensão desenvolvida na junção fonte de porta de um transistor JFET.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Densidade de dopagem:
9E+22 1 por centímetro cúbico --> 9E+28 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Barreira Potencial Schottky:
15.9 Volt --> 15.9 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão do portão:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
x
depl
= sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N
d
))*(V
i
-V
g
)) -->
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*9E+28))*(15.9-0.25))
Avaliando ... ...
x
depl
= 0.000159363423174517
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.000159363423174517 Metro --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.000159363423174517
≈
0.000159 Metro
<--
Largura da região de esgotamento
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Largura da Zona de Depleção
Créditos
Criado por
Sonu Kumar Keshri
Instituto Nacional de Tecnologia, Patna
(NITP)
,
patna
Sonu Kumar Keshri criou esta calculadora e mais 5 calculadoras!
Verificado por
Parminder Singh
Universidade de Chandigarh
(CU)
,
Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!
<
Klystron Calculadoras
Parâmetro de agrupamento de Klystron
Vai
Parâmetro de agrupamento
= (
Coeficiente de acoplamento de feixe
*
Amplitude do sinal de entrada
*
Variação Angular
)/(2*
Tensão do Buncher Catódico
)
Condutância de carregamento do feixe
Vai
Condutância de carregamento de feixe
=
Condutância da Cavidade
-(
Condutância carregada
+
Condutância de perda de cobre
)
Perda de Cobre da Cavidade
Vai
Condutância de perda de cobre
=
Condutância da Cavidade
-(
Condutância de carregamento de feixe
+
Condutância carregada
)
Condutância da Cavidade
Vai
Condutância da Cavidade
=
Condutância carregada
+
Condutância de perda de cobre
+
Condutância de carregamento de feixe
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Largura da Zona de Depleção Fórmula
Largura da região de esgotamento
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
Densidade de dopagem
))*(
Barreira Potencial Schottky
-
Tensão do portão
))
x
depl
=
sqrt
(((
[Permitivity-silicon]
*2)/(
[Charge-e]
*
N
d
))*(
V
i
-
V
g
))
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