Fator de conversão de tensão em frequência em CIs Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada
Kv = fo/Vi
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Fator de conversão de tensão em frequência em CIs - (Medido em Hertz por Volt) - O fator de conversão de tensão em frequência em ICs é um processo em que um sinal de tensão de entrada é convertido em uma saída de frequência correspondente.
Frequência do sinal de saída - (Medido em Hertz) - A frequência do sinal de saída refere-se à taxa na qual um sinal muda ou oscila em um sistema elétrico ou eletrônico.
Tensão de entrada - (Medido em Volt) - Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência do sinal de saída: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Nenhuma conversão necessária
Tensão de entrada: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Kv = fo/Vi --> 1.1/2.25
Avaliando ... ...
Kv = 0.488888888888889
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.488888888888889 Hertz por Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.488888888888889 0.488889 Hertz por Volt <-- Fator de conversão de tensão em frequência em CIs
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs Fórmula

​LaTeX ​Vai
Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada
Kv = fo/Vi
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