Oscilação de tensão na linha de bits Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Oscilação de tensão no Bitline = (Tensão Positiva/2)*Capacitância Celular/(Capacitância Celular+Capacitância de bits)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Oscilação de tensão no Bitline - (Medido em Volt) - Voltage Swing on Bitline é definido como uma arquitetura SRAM de bitline local full-swing, que é baseada na tecnologia FinFET de 22 nm para operação de baixa tensão.
Tensão Positiva - (Medido em Volt) - A tensão positiva é definida como a tensão calculada quando o circuito está conectado à fonte de alimentação. Geralmente é chamada de Vdd ou fonte de alimentação do circuito.
Capacitância Celular - (Medido em Farad) - Capacitância da célula é a capacitância da célula individual.
Capacitância de bits - (Medido em Farad) - Capacitância de bit é a capacitância de um bit em cmos vlsi.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Positiva: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Nenhuma conversão necessária
Capacitância Celular: 5.98 Picofarad --> 5.98E-12 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de bits: 12.38 Picofarad --> 1.238E-11 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit) --> (2.58/2)*5.98E-12/(5.98E-12+1.238E-11)
Avaliando ... ...
ΔV = 0.42016339869281
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.42016339869281 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.42016339869281 0.420163 Volt <-- Oscilação de tensão no Bitline
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Subsistema de Datapath de matriz Calculadoras

Atraso 'XOR'
​ LaTeX ​ Vai Atraso XOR = Tempo de ondulação-(Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR)
Capacitância de Terra
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de Terra = ((Tensão Agressora*Capacitância Adjacente)/Tensão da Vítima)-Capacitância Adjacente
Carry-Ripple Adder Critical Path Delay
​ LaTeX ​ Vai Tempo de ondulação = Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Adicionador Carry-Skip de N-Bit
​ LaTeX ​ Vai Adicionador de salto de transporte de N bits = Entrada N E Porta*Entrada K E Porta

Oscilação de tensão na linha de bits Fórmula

​LaTeX ​Vai
Oscilação de tensão no Bitline = (Tensão Positiva/2)*Capacitância Celular/(Capacitância Celular+Capacitância de bits)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)

O que são RAMs dinâmicas (DRAMs)?

RAMs dinâmicas (DRAMs) armazenam seu conteúdo como carga em um capacitor em vez de em um loop de feedback. As DRAMs comerciais são construídas em processos especializados otimizados para estruturas densas de capacitores. Eles oferecem um fator de densidade 10–20 maior (bits/cm2) do que a SRAM de alto desempenho construída em um processo lógico padrão, mas também têm latência muito maior. A célula é acessada afirmando a linha de palavra para conectar o capacitor à linha de bits. Em uma leitura, a linha de bits é primeiro pré-carregada para VDD/2. Quando a linha de palavras aumenta, o capacitor compartilha sua carga com a linha de bits, causando uma mudança de tensão que pode ser detectada. A leitura perturba o conteúdo da célula em x, portanto, a célula deve ser reescrita após cada leitura. Em uma gravação, a linha de bits é alta ou baixa e a tensão é forçada no capacitor. Algumas DRAMs direcionam a linha de palavras para VDDP = VDD Vt para evitar um nível degradado ao escrever um '1'.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!