Queda de tensão no IGBT no estado ON Calculadora

✖Corrente direta (IGBT) é a corrente máxima que pode fluir através do dispositivo quando ele está ligado.ⓘ Corrente direta (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.ⓘ Resistência do Canal N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖A resistência à deriva (IGBT) é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P.ⓘ Resistência à Deriva (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖A tensão Pn Junção 1 (IGBT) é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção.ⓘ Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖Estágio de queda de tensão ON (IGBT) é a diferença de tensão entre os terminais coletor e emissor quando o IGBT é ligado. É material semicondutor no dispositivo.ⓘ Queda de tensão no IGBT no estado ON [V_ON(igbt)]

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Queda de tensão no IGBT no estado ON Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Queda de tensão no estágio (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Queda de tensão no estágio (IGBT) - (Medido em Volt) - Estágio de queda de tensão ON (IGBT) é a diferença de tensão entre os terminais coletor e emissor quando o IGBT é ligado. É material semicondutor no dispositivo.
Corrente direta (IGBT) - (Medido em Ampere) - Corrente direta (IGBT) é a corrente máxima que pode fluir através do dispositivo quando ele está ligado.
Resistência do Canal N (IGBT) - (Medido em Ohm) - A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.
Resistência à Deriva (IGBT) - (Medido em Ohm) - A resistência à deriva (IGBT) é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P.
Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) - (Medido em Volt) - A tensão Pn Junção 1 (IGBT) é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente direta (IGBT): 1.69 Miliamperes --> 0.00169 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Resistência do Canal N (IGBT): 10.59 Quilohm --> 10590 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Resistência à Deriva (IGBT): 0.98 Quilohm --> 980 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Junção Pn de Tensão 1 (IGBT): 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Avaliando ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

20.2533 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

20.2533 Volt <-- Queda de tensão no estágio (IGBT)

(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

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Queda de tensão no IGBT no estado ON

LaTeX Vai Queda de tensão no estágio (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)

Tempo de desligamento do IGBT

LaTeX Vai Tempo de desligamento (IGBT) = Tempo de atraso (IGBT)+Tempo de queda inicial (IGBT)+Tempo Final de Queda (IGBT)

Capacitância de entrada do IGBT

LaTeX Vai Capacitância de entrada (IGBT) = Capacitância de porta para emissor (IGBT)+Porta para capacitância do coletor (IGBT)

Corrente do Emissor do IGBT

LaTeX Vai Corrente do emissor (IGBT) = Corrente do furo (IGBT)+Corrente Eletrônica (IGBT)

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