Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Corrente de polarização DC - (Medido em Ampere) - A corrente de polarização CC é a corrente constante que flui através de um circuito ou dispositivo para estabelecer um determinado ponto de operação ou ponto de polarização.
Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão de limiar: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Corrente de polarização DC: 985 Miliamperes --> 0.985 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
Parâmetro de Transcondutância do Processo: 2.1 Ampère por Volt Quadrado --> 2.1 Ampère por Volt Quadrado Nenhuma conversão necessária
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))
Avaliando ... ...
Vgs = 5.36283404397829
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.36283404397829 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
5.36283404397829 5.362834 Volt <-- Tensão Gate-Fonte
(Cálculo concluído em 00.008 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Tensão Calculadoras

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum
Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))

O que é tensão de entrada diferencial?

A tensão de entrada diferencial é a tensão máxima que pode ser fornecida aos pinos de entrada (entrada não inversora) e -Input (entrada inversa) sem causar danos ou degradar as características do IC.

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