Tensão limite do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva
Vth = Vgs-Veff
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vth = Vgs-Veff --> 4-1.7
Avaliando ... ...
Vth = 2.3
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.3 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.3 Volt <-- Tensão de limiar
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Tensão Calculadoras

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum
Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Características MOSFET Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Ganho de tensão máximo no ponto de polarização
​ LaTeX ​ Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
Ganho de tensão dada tensão de dreno
​ LaTeX ​ Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões
​ LaTeX ​ Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Tensão limite do MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva
Vth = Vgs-Veff

O que é tensão limite?

O valor da voltagem através do óxido no qual um número suficiente de elétrons móveis se acumulam na região do canal para formar um canal condutor é chamado de voltagem de limiar e é denotado como V

Explique todo o processo da região do canal do MOSFET formando um capacitor de placa paralela.

A porta e a região do canal do MOSFET formam um capacitor de placa paralela, com a camada de óxido atuando como o dielétrico do capacitor. A tensão da porta positiva faz com que uma carga positiva se acumule na placa superior do capacitor (o eletrodo da porta). A carga negativa correspondente na placa inferior é formada pelos elétrons no canal induzido. Um campo elétrico, portanto, se desenvolve na direção vertical. É este campo que controla a quantidade de carga no canal e, portanto, determina a condutividade do canal e, por sua vez, a corrente que fluirá através do canal quando uma tensão for aplicada.

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