Largura de transição do CMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
W = Cmos/Cgs
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
Capacitância de sobreposição de porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas.
Capacitância da Porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância da porta MOS é um fator importante no cálculo da capacitância de sobreposição da porta.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de sobreposição de porta MOS: 1.8 Microfarad --> 1.8E-06 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância da Porta MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Avaliando ... ...
W = 0.0898203592814371
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0898203592814371 Metro -->89.8203592814371 Milímetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
89.8203592814371 89.82036 Milímetro <-- Largura da transição
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Características do circuito CMOS Calculadoras

CMOS significa caminho livre
​ LaTeX ​ Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
​ LaTeX ​ Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
​ LaTeX ​ Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Largura de transição do CMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
W = Cmos/Cgs

Qual é a necessidade de doping no CMOS?

A dopagem na tecnologia CMOS é usada para introduzir impurezas no material semicondutor para alterar suas propriedades elétricas. Ao adicionar dopantes, o número de portadores de carga livres (elétrons ou lacunas) pode ser aumentado, o que permite maior controle sobre o comportamento elétrico do dispositivo. Isso é essencial para a criação de circuitos CMOS de alto desempenho que usam transistores tipo n e tipo p.

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