Tempo de trânsito do transistor PNP Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tempo de trânsito = Largura básica^2/(2*Constante de difusão para PNP)
τf = Wb^2/(2*Dp)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Tempo de trânsito - (Medido em Segundo) - O tempo de trânsito em um transistor é crucial, pois determina a frequência máxima na qual o transistor pode operar efetivamente.
Largura básica - (Medido em Metro) - A largura da base é um parâmetro importante que afeta as características do transistor, principalmente em termos de operação e velocidade.
Constante de difusão para PNP - (Medido em Metro quadrado por segundo) - Diffusion Constant For PNP descreve a facilidade com que esses portadores minoritários se difundem através do material semicondutor quando um campo elétrico é aplicado.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Largura básica: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Constante de difusão para PNP: 100 Centímetro quadrado por segundo --> 0.01 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
τf = Wb^2/(2*Dp) --> 0.08^2/(2*0.01)
Avaliando ... ...
τf = 0.32
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.32 Segundo --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.32 Segundo <-- Tempo de trânsito
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Raul Gupta
Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab
Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Tempo de trânsito do transistor PNP Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tempo de trânsito = Largura básica^2/(2*Constante de difusão para PNP)
τf = Wb^2/(2*Dp)
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