Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Calculadora

✖A corrente do coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.ⓘ Corrente do coletor [i_c]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%

✖A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.ⓘ Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor [g_mp]

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Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar
g_mp = i_c/V_t
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância Primária MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Corrente do coletor - (Medido em Ampere) - A corrente do coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente do coletor: 39.52 Miliamperes --> 0.03952 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Avaliando ... ...

g_mp = 0.01976

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

19.76 Millisiemens <-- Transcondutância Primária MOSFET

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

LaTeX Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Tensão de dreno instantânea total

LaTeX Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

LaTeX Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Ver mais >>

< Ações CV de amplificadores de estágio comum Calculadoras

Resistência de entrada do amplificador de emissor comum

LaTeX Vai Resistência de entrada = (1/Resistência Básica+1/Resistência Básica 2+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^-1

Impedância de entrada do amplificador de base comum

LaTeX Vai Impedância de entrada = (1/Resistência do emissor+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^(-1)

Tensão Fundamental no Amplificador de Emissor Comum

LaTeX Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência de entrada*Corrente Básica

Corrente do Emissor do Amplificador de Base Comum

LaTeX Vai Corrente do Emissor = Tensão de entrada/Resistência do emissor

Ver mais >>

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Fórmula

LaTeX Vai

Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar
g_mp = i_c/V_t

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância de um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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