Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar
gmp = ic/Vt
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Transcondutância Primária MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Corrente do coletor - (Medido em Ampere) - A corrente do coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Corrente do coletor: 39.52 Miliamperes --> 0.03952 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Avaliando ... ...
gmp = 0.01976
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
19.76 Millisiemens <-- Transcondutância Primária MOSFET
(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido
​ Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte
Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação
​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2
Tensão de dreno instantânea total
​ Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem
Tensão de entrada no transistor
​ Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Ações CV de amplificadores de estágio comum Calculadoras

Resistência de entrada do amplificador de emissor comum
​ Vai Resistência de entrada = (1/Resistência Básica+1/Resistência Básica 2+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^-1
Impedância de entrada do amplificador de base comum
​ Vai Impedância de entrada = (1/Resistência do emissor+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^(-1)
Tensão Fundamental no Amplificador de Emissor Comum
​ Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência de entrada*Corrente Básica
Corrente do Emissor do Amplificador de Base Comum
​ Vai Corrente do Emissor = Tensão de entrada/Resistência do emissor

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Fórmula

Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar
gmp = ic/Vt

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância de um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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