Parâmetro de transcondutância do transistor MOS Calculadora

✖A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%
✖A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do óxido [V_ox]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%
✖A tensão entre a porta e a fonte é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.ⓘ Tensão entre Gate e Fonte [V_gs]			+10% -10%

✖O parâmetro de transcondutância é o produto do parâmetro de transcondutância do processo e a relação de aspecto do transistor (W/L).ⓘ Parâmetro de transcondutância do transistor MOS [K_n]

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Parâmetro de transcondutância do transistor MOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Parâmetro de Transcondutância - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância é o produto do parâmetro de transcondutância do processo e a relação de aspecto do transistor (W/L).
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Tensão através do óxido - (Medido em Volt) - A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Tensão entre Gate e Fonte - (Medido em Volt) - A tensão entre a porta e a fonte é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de drenagem: 17.5 Miliamperes --> 0.0175 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão através do óxido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão entre Gate e Fonte: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)

Avaliando ... ...

K_n = 0.00295184279328667

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00295184279328667 Ampère por Volt Quadrado -->2.95184279328667 Miliamperes por Volt quadrado (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

2.95184279328667 ≈ 2.951843 Miliamperes por Volt quadrado <-- Parâmetro de Transcondutância

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

LaTeX Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Tensão de dreno instantânea total

LaTeX Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

LaTeX Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

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Parâmetro de transcondutância do transistor MOS Fórmula

LaTeX Vai

Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)

Como você aumenta a transcondutância?

Uma figura comum de mérito para FETs é a transcondutância, e pode ser aumentada reduzindo a resistência do canal por meio de dopagem pesada. Mas essa estratégia degrada a mobilidade do elétron por causa do espalhamento de portadores pelas impurezas ionizadas.

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