Transcondutância de Amplificadores Transistores Calculadora

✖A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%
✖A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do óxido [V_ox]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%

✖A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.ⓘ Transcondutância de Amplificadores Transistores [g_mp]

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Transcondutância de Amplificadores Transistores Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância Primária MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Tensão através do óxido - (Medido em Volt) - A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de drenagem: 17.5 Miliamperes --> 0.0175 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão através do óxido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t) --> (2*0.0175)/(3.775-2)

Avaliando ... ...

g_mp = 0.0197183098591549

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0197183098591549 Siemens -->19.7183098591549 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

19.7183098591549 ≈ 19.71831 Millisiemens <-- Transcondutância Primária MOSFET

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

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Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

LaTeX Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Tensão de dreno instantânea total

LaTeX Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

LaTeX Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

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Transcondutância de Amplificadores Transistores Fórmula

LaTeX Vai

Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)
g_mp = (2*i_d)/(V_ox-V_t)

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância para um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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