Transcondutância na região de saturação no MESFET Calculadora

✖A Condutância de Saída é um parâmetro que caracteriza o comportamento de um transistor de efeito de campo (FET) em sua região de saturação.ⓘ Condutância de saída [g₀]			+10% -10%
✖Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.ⓘ Tensão de entrada [V_i]			+10% -10%
✖A tensão limite é referida como a tensão na qual o transistor começa a conduzir.ⓘ Tensão de limiar [V_G]			+10% -10%
✖A tensão de pinçamento representa a tensão da porta-fonte na qual o canal do MESFET fecha, ou "comprime".ⓘ Tensão de pinçamento [V_p]			+10% -10%

✖A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.ⓘ Transcondutância na região de saturação no MESFET [G_m]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Dispositivos semicondutores de micro-ondas Fórmula PDF PDF Image

Transcondutância na região de saturação no MESFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Transcondutância do MESFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.
Condutância de saída - (Medido em Siemens) - A Condutância de Saída é um parâmetro que caracteriza o comportamento de um transistor de efeito de campo (FET) em sua região de saturação.
Tensão de entrada - (Medido em Volt) - Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite é referida como a tensão na qual o transistor começa a conduzir.
Tensão de pinçamento - (Medido em Volt) - A tensão de pinçamento representa a tensão da porta-fonte na qual o canal do MESFET fecha, ou "comprime".

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Condutância de saída: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Nenhuma conversão necessária
Tensão de entrada: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 1.562 Volt --> 1.562 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de pinçamento: 2.01 Volt --> 2.01 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Avaliando ... ...

G_m = 0.0630717433777618

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0630717433777618 Siemens --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transcondutância do MESFET

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Teoria de Microondas » Dispositivos semicondutores de micro-ondas » Amplificadores transistorizados » Transcondutância na região de saturação no MESFET

Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Amplificadores transistorizados Calculadoras

Frequência máxima de operação

LaTeX Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))

Transcondutância na região de saturação no MESFET

LaTeX Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))

Frequência de corte MESFET

LaTeX Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)

Frequência Máxima de Oscilação

LaTeX Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Ver mais >>

Transcondutância na região de saturação no MESFET Fórmula

LaTeX Vai

Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!