Transcondutância na região de saturação Calculadora

Transcondutância = Condutância de saída*(1-sqrt((Barreira potencial de diodo Schottky-Tensão do portão)/Reduza a tensão))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de dreno e a mudança na tensão da porta-fonte, assumindo uma tensão constante da fonte de dreno.
Condutância de saída - (Medido em Siemens) - A condutância de saída representa a condutância da fonte de drenagem de sinal pequeno do MOSFET quando a tensão da fonte da porta é mantida constante.
Barreira potencial de diodo Schottky - (Medido em Volt) - A barreira potencial do diodo Schottky é a barreira de energia que existe na interface entre um metal e um material semicondutor em um diodo Schottky.
Tensão do portão - (Medido em Volt) - Tensão de porta refere-se à tensão aplicada ao terminal de controle de um MESFET para regular sua condutância. A tensão de porta determina o número de portadores de carga livres no canal.
Reduza a tensão - (Medido em Volt) - A tensão de pinçamento é a tensão da porta na qual o canal fica completamente comprimido e é um parâmetro chave na operação de FETs. É um parâmetro importante no projeto de circuitos.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)