Potência total fornecida em NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)
PS = Vdd*(Id+I)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Fonte de alimentação - (Medido em Watt) - A energia fornecida é usada em uma ampla gama de aplicações, desde alimentar pequenos dispositivos eletrônicos até fornecer eletricidade para grandes máquinas e sistemas industriais.
Tensão de alimentação - (Medido em Volt) - A tensão de alimentação é o nível de tensão fornecido a um dispositivo eletrônico e é um parâmetro crítico que afeta o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.
Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Atual - (Medido em Ampere) - A corrente é o valor RMS das correntes que passam pelos MOSFETs do tipo n em um circuito de estado combinado.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão de alimentação: 6 Volt --> 6 Volt Nenhuma conversão necessária
Drenar corrente em NMOS: 239 Miliamperes --> 0.239 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
Atual: 5 Miliamperes --> 0.005 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
PS = Vdd*(Id+I) --> 6*(0.239+0.005)
Avaliando ... ...
PS = 1.464
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.464 Watt -->1464 Miliwatt (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1464 Miliwatt <-- Fonte de alimentação
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)
PS = Vdd*(Id+I)

O que é potência dissipada?

A definição de dissipação de energia é o processo pelo qual um dispositivo eletrônico ou elétrico produz calor (perda ou desperdício de energia) como um derivado indesejável de sua ação primária. Como no caso das unidades centrais de processamento, a dissipação de energia é uma preocupação principal na arquitetura do computador. Além disso, a dissipação de energia em resistores é considerada um fenômeno que ocorre naturalmente. O fato é que todos os resistores que fazem parte de um circuito e têm uma queda de tensão entre eles dissiparão a energia elétrica. Além disso, essa energia elétrica se converte em energia térmica e, portanto, todos os resistores têm uma classificação (potência). Além disso, a classificação de potência de um resistor é uma classificação que parametriza a potência máxima que ele pode dissipar antes de atingir uma falha crítica.

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