Potência total dissipada em NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO
PD = Id^2*Ron
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Poder Dissipado - (Medido em Watt) - A energia dissipada refere-se à energia que é convertida em calor e perdida em um circuito ou sistema devido à presença de resistência, fricção ou outras formas de perda de energia.
Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Resistência do Canal LIGADO - (Medido em Ohm) - A resistência do canal ON é o valor da resistência do canal entre o dreno e a fonte para qualquer circuito Mosfet padrão.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Drenar corrente em NMOS: 239 Miliamperes --> 0.239 Ampere (Verifique a conversão ​aqui)
Resistência do Canal LIGADO: 0.02 Quilohm --> 20 Ohm (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Avaliando ... ...
PD = 1.14242
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.14242 Watt -->1142.42 Miliwatt (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
1142.42 Miliwatt <-- Poder Dissipado
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total dissipada em NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO
PD = Id^2*Ron

O que é potência dissipada?

A definição de dissipação de potência é o processo pelo qual um dispositivo eletrônico ou elétrico produz calor (perda ou desperdício de energia) como um derivado indesejável de sua ação primária. Como no caso das unidades centrais de processamento, a dissipação de energia é uma preocupação principal na arquitetura do computador. Além disso, a dissipação de energia em resistores é considerada um fenômeno que ocorre naturalmente. O fato é que todos os resistores que fazem parte de um circuito e têm uma queda de tensão entre eles dissiparão a energia elétrica. Além disso, essa energia elétrica se converte em energia térmica e, portanto, todos os resistores têm uma classificação (potência). Além disso, a classificação de potência de um resistor é uma classificação que parametriza a potência máxima que ele pode dissipar antes de atingir uma falha crítica.

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