Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Cg = Cox*Wc*L
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância do canal de porta - (Medido em Farad) - A capacitância do canal de porta refere-se à capacitância elétrica que existe entre o eletrodo de porta e a região do canal de um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do canal: 100 Micrômetro --> 0.0001 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cg = Cox*Wc*L --> 0.00094*1E-05*0.0001
Avaliando ... ...
Cg = 9.4E-13
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
9.4E-13 Farad -->9.4E-07 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
9.4E-07 9.4E-7 Microfarad <-- Capacitância do canal de porta
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Frequência de Transição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ LaTeX ​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Cg = Cox*Wc*L

Explique todo o processo da região do canal do MOSFET formando um capacitor de placa paralela.

A porta e a região do canal do MOSFET formam um capacitor de placa paralela, com a camada de óxido atuando como o dielétrico do capacitor. A tensão da porta positiva faz com que uma carga positiva se acumule na placa superior do capacitor (o eletrodo da porta). A carga negativa correspondente na placa inferior é formada pelos elétrons no canal induzido. Um campo elétrico, portanto, se desenvolve na direção vertical. É este campo que controla a quantidade de carga no canal e, portanto, determina a condutividade do canal e, por sua vez, a corrente que fluirá através do canal quando uma tensão for aplicada.

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