✖Penetração de carga do tipo N refere-se ao fenômeno em que elétrons adicionais de átomos dopantes, normalmente fósforo ou arsênico, penetram na rede cristalina do material semicondutor.ⓘ Penetração de carga tipo N [xno] | | | +10% -10% |
✖A área de junção é o limite ou área de interface entre dois tipos de materiais semicondutores em um diodo pn.ⓘ Área de Junção [Aj] | | | +10% -10% |
✖A concentração do receptor é a concentração de um átomo receptor ou dopante que, quando substituído em uma rede semicondutora, forma uma região do tipo p.ⓘ Concentração do Aceitador [Na] | | | +10% -10% |