Atraso de tempo quando o NMOS opera na região linear Calculadora

Região Linear em Atraso de Tempo = -2*Capacitância de Junção*int(1/(Parâmetro do Processo de Transcondutância*(2*(Tensão de entrada-Tensão de limiar)*x-x^2)),x,Tensão Inicial,Tensão Final)
t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂)
Esta fórmula usa 1 Funções, 7 Variáveis
int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida assinada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)Região Linear em Atraso de Tempo - (Medido em Segundo) - Região Linear em Atraso de Tempo é definida como o atraso que surge da carga e descarga de capacitores conectados ao NMOS durante eventos de comutação.
Capacitância de Junção - (Medido em Farad) - Capacitância de junção refere-se à capacitância resultante da região de depleção entre os terminais fonte/dreno e o substrato.
Parâmetro do Processo de Transcondutância - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de processo de transcondutância é uma constante específica do dispositivo que caracteriza a capacidade do transistor de converter uma mudança na tensão da porta em uma mudança na corrente de saída.
Tensão de entrada - (Medido em Volt) - Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.
Tensão Inicial - (Medido em Volt) - Tensão Inicial refere-se à tensão presente em um ponto específico de um circuito no início de uma determinada operação ou sob condições específicas.
Tensão Final - (Medido em Volt) - Tensão Final refere-se ao nível de tensão alcançado ou medido na conclusão de um processo ou evento específico.

(Cálculo concluído em 00.035 segundos)