Potencial de Superfície Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A diferença de potencial do corpo da fonte é calculada quando um potencial aplicado externamente é igual à soma da queda de tensão na camada de óxido e da queda de tensão no semicondutor.ⓘ Diferença potencial do corpo de origem [V_sb]			+10% -10%
✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.ⓘ Concentração Intrínseca [N_i]			+10% -10%

✖O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.ⓘ Potencial de Superfície [Φ_s]

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Potencial de Superfície Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Potencial de Superfície - (Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
Diferença potencial do corpo de origem - (Medido em Volt) - A diferença de potencial do corpo da fonte é calculada quando um potencial aplicado externamente é igual à soma da queda de tensão na camada de óxido e da queda de tensão no semicondutor.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Diferença potencial do corpo de origem: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Concentração Intrínseca: 14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)

Avaliando ... ...

Φ_s = 36.5675358441665

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

36.5675358441665 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

36.5675358441665 ≈ 36.56754 Volt <-- Potencial de Superfície

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

LaTeX Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>

Potencial de Superfície Fórmula

LaTeX Vai

Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)

Por que calculamos o potencial de superfície?

O potencial de superfície é calculado para determinar o nível de tensão na superfície do semicondutor. Ele ajuda a avaliar o desempenho do dispositivo, a tensão limite e o consumo de energia em transistores CMOS, auxiliando no projeto e na otimização do circuito.

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