Coeficiente de polarização do substrato Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Coeficiente de polarização do substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido
γs = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA)/Cox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Coeficiente de polarização do substrato - O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET).
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
γs = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA)/Cox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9
Avaliando ... ...
γs = 5.70407834987726E-07
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.70407834987726E-07 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
5.70407834987726E-07 5.7E-7 <-- Coeficiente de polarização do substrato
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral
​ LaTeX ​ Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
Potencial de Fermi para tipo P
​ LaTeX ​ Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Coeficiente de polarização do substrato Fórmula

​LaTeX ​Vai
Coeficiente de polarização do substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido
γs = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA)/Cox
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