Calculadora A a Z
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Coeficiente de polarização do substrato Calculadora
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Aprimoramento do Canal N
Aprimoramento do Canal P
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A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
ⓘ
Concentração de Dopagem do Aceitante [N
A
]
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
+10%
-10%
✖
Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
ⓘ
Capacitância de Óxido [C
ox
]
Farad
FemtoFarad
Quilofarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Picofarad
+10%
-10%
✖
O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET).
ⓘ
Coeficiente de polarização do substrato [γ
s
]
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Coeficiente de polarização do substrato Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Coeficiente de polarização do substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
)/
Capacitância de Óxido
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funções
,
3
Variáveis
Constantes Usadas
[Permitivity-silicon]
- Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt
- Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Coeficiente de polarização do substrato
- O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET).
Concentração de Dopagem do Aceitante
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Capacitância de Óxido
-
(Medido em Farad)
- Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de Dopagem do Aceitante:
1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Capacitância de Óxido:
3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
γ
s
= sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000)/3.9
Avaliando ... ...
γ
s
= 5.70407834987726E-07
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.70407834987726E-07 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
5.70407834987726E-07
≈
5.7E-7
<--
Coeficiente de polarização do substrato
(Cálculo concluído em 00.008 segundos)
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Coeficiente de polarização do substrato
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
Transistor MOS Calculadoras
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
LaTeX
Vai
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
)/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
)*(
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Final
)-
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Inicial
)))
Potencial de Fermi para tipo P
LaTeX
Vai
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
LaTeX
Vai
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
=
Perímetro da parede lateral
*
Capacitância de Junção Lateral
*
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
LaTeX
Vai
Capacitância de Junção Lateral
=
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
*
Profundidade da parede lateral
Ver mais >>
Coeficiente de polarização do substrato Fórmula
LaTeX
Vai
Coeficiente de polarização do substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
)/
Capacitância de Óxido
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
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