Fórmula Usada
Redução de tensão limite de canal curto = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))*Profundidade da Junção)/(Capacitância de Óxido por Unidade de Área*2*Comprimento do canal)*((sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte)/Profundidade da Junção)-1)+(sqrt(1+(2*Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno)/Profundidade da Junção)-1))ΔVT0 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))*xj)/(Coxide*2*L)*((sqrt(1+(2*xdS)/xj)-1)+(sqrt(1+(2*xdD)/xj)-1))Esta fórmula usa
3 Constantes,
2 Funções,
8 Variáveis Constantes Usadas
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
abs - O valor absoluto de um número é sua distância de zero na reta numérica. É sempre um valor positivo, pois representa a magnitude de um número sem considerar sua direção., abs(Number)
Variáveis Usadas
Redução de tensão limite de canal curto -
(Medido em Volt) - A redução da tensão limite de canal curto é definida como uma redução na tensão limite do MOSFET devido ao efeito de canal curto.
Concentração do aceitante -
(Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Potencial de Superfície -
(Medido em Volt) - O potencial de superfície é um parâmetro chave na avaliação da propriedade DC de transistores de filme fino.
Profundidade da Junção -
(Medido em Metro) - A profundidade da junção é definida como a distância da superfície de um material semicondutor até o ponto onde ocorre uma mudança significativa na concentração de átomos dopantes.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área -
(Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Comprimento do canal -
(Medido em Metro) - Comprimento do canal refere-se ao comprimento físico do material semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte -
(Medido em Metro) - A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico.
Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno -
(Medido em Metro) - A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno.