✖A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.ⓘ Largura de banda [Wc] | | | +10% -10% |
✖A velocidade de deriva de elétrons de saturação é definida como a velocidade máxima alcançada pelos elétrons em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.ⓘ Velocidade de deriva de elétrons de saturação [vd(sat)] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.ⓘ Capacitância de Óxido por Unidade de Área [Coxide] | | | +10% -10% |
✖A tensão da fonte de dreno de saturação é definida como a tensão nos terminais de dreno e fonte de um MOSFET quando o transistor está operando no modo de saturação.ⓘ Tensão da fonte de drenagem de saturação [VDsat] | | | +10% -10% |