Corrente de saturação de canal curto VLSI Calculadora

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Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.ⓘ Largura de banda [W_c]			+10% -10%
✖A velocidade de deriva de elétrons de saturação é definida como a velocidade máxima alcançada pelos elétrons em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.ⓘ Velocidade de deriva de elétrons de saturação [v_d(sat)]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.ⓘ Capacitância de Óxido por Unidade de Área [C_oxide]			+10% -10%
✖A tensão da fonte de dreno de saturação é definida como a tensão nos terminais de dreno e fonte de um MOSFET quando o transistor está operando no modo de saturação.ⓘ Tensão da fonte de drenagem de saturação [V_Dsat]			+10% -10%

✖A corrente de saturação de canal curto é definida como a corrente máxima que pode fluir através de um transistor de canal curto quando ele está no modo de saturação.ⓘ Corrente de saturação de canal curto VLSI [I_D(sat)]

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Fórmula

✖

Corrente de saturação de canal curto VLSI

Fórmula

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

Exemplo

527.25 µA = 2.5 μm \cdot 2e+7 cm/s \cdot 0.0703 μF/cm² \cdot 1.5 V

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Corrente de saturação de canal curto VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação
I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de saturação de canal curto - (Medido em Ampere) - A corrente de saturação de canal curto é definida como a corrente máxima que pode fluir através de um transistor de canal curto quando ele está no modo de saturação.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.
Velocidade de deriva de elétrons de saturação - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade de deriva de elétrons de saturação é definida como a velocidade máxima alcançada pelos elétrons em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Tensão da fonte de drenagem de saturação - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de dreno de saturação é definida como a tensão nos terminais de dreno e fonte de um MOSFET quando o transistor está operando no modo de saturação.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura de banda: 2.5 Micrômetro --> 2.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Velocidade de deriva de elétrons de saturação: 20000000 Centímetro por Segundo --> 200000 Metro por segundo (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido por Unidade de Área: 0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Tensão da fonte de drenagem de saturação: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_D(sat) = W_c*v_d(sat)*C_oxide*V_Dsat --> 2.5E-06*200000*0.000703*1.5

Avaliando ... ...

I_D(sat) = 0.00052725

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00052725 Ampere -->527.25 Microampère (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

527.25 Microampère <-- Corrente de saturação de canal curto

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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