Resistência da Folha da Camada Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Resistência da folha - (Medido em Ohm) - A resistência da folha é a resistência de uma peça quadrada de um material fino com contatos feitos em dois lados opostos do quadrado.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.
Concentração de equilíbrio do tipo N - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de equilíbrio do tipo N é igual à densidade dos átomos doadores porque os elétrons para condução são dados exclusivamente pelo átomo doador.
Espessura da Camada - (Medido em Metro) - A espessura da camada é frequentemente usada na fabricação de peças fundidas para garantir que a estrutura da parede seja projetada com a quantidade certa de material.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Cobrar: 5 Milicoulomb --> 0.005 Coulomb (Verifique a conversão ​aqui)
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica: 0.38 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 3.8E-05 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração de equilíbrio do tipo N: 45 1 por centímetro cúbico --> 45000000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Espessura da Camada: 100.5 Centímetro --> 1.005 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Rs = 1/(q*μn*Nd*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)
Avaliando ... ...
Rs = 0.116377178435309
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.116377178435309 Ohm --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.116377178435309 0.116377 Ohm <-- Resistência da folha
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Raul Gupta
Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab
Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Resistência da Folha da Camada Fórmula

​LaTeX ​Vai
Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
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