Concentração de Defeito Schottky Calculadora

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✖Número de sítios atômicos por metro cúbico.ⓘ Número de sítios atômicos [N]			+10% -10%
✖A energia de ativação para a formação de Schottky representa a energia necessária para a formação do defeito de Schottky.ⓘ Energia de ativação para a formação Schottky [Q_s]			+10% -10%
✖A constante universal de gás é uma constante física que aparece em uma equação que define o comportamento de um gás em condições teoricamente ideais. Sua unidade é joule * kelvin − 1 * mole − 1.ⓘ Constante de gás universal [R]			+10% -10%
✖Temperatura é o grau ou intensidade de calor presente em uma substância ou objeto.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%

✖O número de defeitos de Schottky representa o número de equilíbrio de defeitos de Schottky por metro cúbico.ⓘ Concentração de Defeito Schottky [N_S]

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Concentração de Defeito Schottky Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Número de defeitos de Schottky = Número de sítios atômicos*exp(-Energia de ativação para a formação Schottky/(2*Constante de gás universal*Temperatura))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança de unidade na variável independente., exp(Number)

Variáveis Usadas

Número de defeitos de Schottky - O número de defeitos de Schottky representa o número de equilíbrio de defeitos de Schottky por metro cúbico.
Número de sítios atômicos - Número de sítios atômicos por metro cúbico.
Energia de ativação para a formação Schottky - (Medido em Joule) - A energia de ativação para a formação de Schottky representa a energia necessária para a formação do defeito de Schottky.
Constante de gás universal - A constante universal de gás é uma constante física que aparece em uma equação que define o comportamento de um gás em condições teoricamente ideais. Sua unidade é joule * kelvin − 1 * mole − 1.
Temperatura - (Medido em Kelvin) - Temperatura é o grau ou intensidade de calor presente em uma substância ou objeto.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Número de sítios atômicos: 8E+28 --> Nenhuma conversão necessária
Energia de ativação para a formação Schottky: 2.6 Electron-Volt --> 4.16566105800002E-19 Joule (Verifique a conversão aqui)
Constante de gás universal: 8.314 --> Nenhuma conversão necessária
Temperatura: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T)) --> 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85))

Avaliando ... ...

N_S = 8E+28

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

8E+28 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

8E+28 <-- Número de defeitos de Schottky

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Equipe Softusvista

Escritório Softusvista (Pune), Índia

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Verificado por Himanshi Sharma

Instituto de Tecnologia Bhilai (MORDEU), Raipur

Himanshi Sharma verificou esta calculadora e mais 800+ calculadoras!

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Módulo de material poroso de Young

LaTeX Vai Módulo de material poroso de Young = Módulo de Young de material não poroso*(1-(0.019*Porcentagem de Volume de Porosidade)+(0.00009*Porcentagem de Volume de Porosidade*Porcentagem de Volume de Porosidade))

Concentração de Defeito Schottky

LaTeX Vai Número de defeitos de Schottky = Número de sítios atômicos*exp(-Energia de ativação para a formação Schottky/(2*Constante de gás universal*Temperatura))

Comprimento Crítico da Fibra

LaTeX Vai Comprimento Crítico da Fibra = Resistência à tração da fibra*Diâmetro da fibra/(2*Tensão crítica de cisalhamento)

Módulo de Young do módulo de cisalhamento

LaTeX Vai Módulo de Young = 2*Módulo de cisalhamento*(1+Razão de Poisson)

Ver mais >>

Concentração de Defeito Schottky Fórmula

LaTeX Vai

Número de defeitos de Schottky = Número de sítios atômicos*exp(-Energia de ativação para a formação Schottky/(2*Constante de gás universal*Temperatura))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))

Defeitos Schottky

Os defeitos de Schottky podem ser considerados como sendo criados pela remoção de um cátion e um ânion do interior do cristal e, em seguida, colocando-os em uma superfície externa. Uma vez que cátions e ânions têm a mesma carga, e como para cada vaga de ânion existe uma vaga de cátion, a neutralidade de carga do cristal é mantida.

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