Tensão de saturação do MOSFET Calculadora

✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão Gate-Fonte [V_gs]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_th]			+10% -10%

✖A tensão de saturação do dreno e da fonte é a tensão na qual o FET não pode mais operar como um amplificador e sua tensão de saída se fixa em um valor máximo.ⓘ Tensão de saturação do MOSFET [V_ds(s)]

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Tensão de saturação do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
V_ds(s) = V_gs-V_th
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de saturação de dreno e fonte - (Medido em Volt) - A tensão de saturação do dreno e da fonte é a tensão na qual o FET não pode mais operar como um amplificador e sua tensão de saída se fixa em um valor máximo.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Avaliando ... ...

V_ds(s) = 1.7

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.7 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.7 Volt <-- Tensão de saturação de dreno e fonte

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Tensão Calculadoras

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

LaTeX Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

LaTeX Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

LaTeX Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

LaTeX Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Ver mais >>

< Características MOSFET Calculadoras

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

LaTeX Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

LaTeX Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

LaTeX Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

LaTeX Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Ver mais >>

Tensão de saturação do MOSFET Fórmula

LaTeX Vai

Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
V_ds(s) = V_gs-V_th

Qual é a região de saturação do MOSFET?

Na saturação ou região linear, o transistor será polarizado de modo que a quantidade máxima de tensão de porta seja aplicada ao dispositivo, o que resulta na resistência do canal RDS (por ser o menor possível com a corrente de drenagem máxima fluindo através do interruptor MOSFET.

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