Tensão de saturação do IGBT Calculadora

✖Tensão base do emissor PNP IGBT. Um IGBT é um dispositivo híbrido que combina as vantagens de um MOSFET e de um BJT.ⓘ Tensão base do emissor PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖Corrente de drenagem (IGBT) é a corrente que flui através da junção de drenagem do MOSFET e IGBT.ⓘ Corrente de drenagem (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖Resistência de condutividade IGBT é a resistência quando um IGBT está ligado e conduzindo corrente.ⓘ Resistência à condutividade IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.ⓘ Resistência do Canal N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖A tensão de saturação do coletor para o emissor (IGBT) de um transistor bipolar de porta isolada é a queda de tensão no IGBT quando ele está ligado e conduzindo corrente.ⓘ Tensão de saturação do IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

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Tensão de saturação do IGBT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) = Tensão base do emissor PNP IGBT+Corrente de drenagem (IGBT)*(Resistência à condutividade IGBT+Resistência do Canal N (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) - (Medido em Volt) - A tensão de saturação do coletor para o emissor (IGBT) de um transistor bipolar de porta isolada é a queda de tensão no IGBT quando ele está ligado e conduzindo corrente.
Tensão base do emissor PNP IGBT - (Medido em Volt) - Tensão base do emissor PNP IGBT. Um IGBT é um dispositivo híbrido que combina as vantagens de um MOSFET e de um BJT.
Corrente de drenagem (IGBT) - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem (IGBT) é a corrente que flui através da junção de drenagem do MOSFET e IGBT.
Resistência à condutividade IGBT - (Medido em Ohm) - Resistência de condutividade IGBT é a resistência quando um IGBT está ligado e conduzindo corrente.
Resistência do Canal N (IGBT) - (Medido em Ohm) - A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão base do emissor PNP IGBT: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Nenhuma conversão necessária
Corrente de drenagem (IGBT): 105 Miliamperes --> 0.105 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Resistência à condutividade IGBT: 1.03 Quilohm --> 1030 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Resistência do Canal N (IGBT): 10.59 Quilohm --> 10590 Ohm (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Avaliando ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1222.25 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1222.25 Volt <-- Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT)

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

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Queda de tensão no IGBT no estado ON

LaTeX Vai Queda de tensão no estágio (IGBT) = Corrente direta (IGBT)*Resistência do Canal N (IGBT)+Corrente direta (IGBT)*Resistência à Deriva (IGBT)+Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)

Tempo de desligamento do IGBT

LaTeX Vai Tempo de desligamento (IGBT) = Tempo de atraso (IGBT)+Tempo de queda inicial (IGBT)+Tempo Final de Queda (IGBT)

Capacitância de entrada do IGBT

LaTeX Vai Capacitância de entrada (IGBT) = Capacitância de porta para emissor (IGBT)+Porta para capacitância do coletor (IGBT)

Corrente do Emissor do IGBT

LaTeX Vai Corrente do emissor (IGBT) = Corrente do furo (IGBT)+Corrente Eletrônica (IGBT)

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