Corrente de saturação usando concentração de dopagem Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de saturação = (Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor*[Charge-e]*Difusividade de elétrons*(Concentração de Portadores Intrínsecos)^2)/(Largura da junção da base*Dopagem Concentração de Base)
Isat = (AE*[Charge-e]*Dn*(ni1)^2)/(Wbase*NB)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 6 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Variáveis Usadas
Corrente de saturação - (Medido em Ampere) - Corrente de saturação é a densidade de corrente de fuga do diodo na ausência de luz. É um parâmetro importante que diferencia um diodo de outro.
Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor - (Medido em Metro quadrado) - A área da seção transversal da junção base-emissor é a largura na direção perpendicular à página.
Difusividade de elétrons - (Medido em Metro quadrado por segundo) - A difusividade de elétrons é a corrente de difusão é uma corrente em um semicondutor causada pela difusão de portadores de carga (buracos e/ou elétrons).
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Largura da junção da base - (Medido em Metro) - Largura da junção de base é o parâmetro que indica a largura da junção de base de qualquer elemento eletrônico analógico.
Dopagem Concentração de Base - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de Dopagem da Base é o número de impurezas adicionadas à base.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor: 8 Praça centímetro --> 0.0008 Metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
Difusividade de elétrons: 0.8 Centímetro quadrado por segundo --> 8E-05 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração de Portadores Intrínsecos: 100000 1 por metro cúbico --> 100000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Largura da junção da base: 0.002 Metro --> 0.002 Metro Nenhuma conversão necessária
Dopagem Concentração de Base: 19 1 por metro cúbico --> 19 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Isat = (AE*[Charge-e]*Dn*(ni1)^2)/(Wbase*NB) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)
Avaliando ... ...
Isat = 2.69840272842105E-15
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.69840272842105E-15 Ampere -->2.69840272842105E-12 Miliamperes (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
2.69840272842105E-12 2.7E-12 Miliamperes <-- Corrente de saturação
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Corrente Base Calculadoras

Corrente de base usando corrente de saturação em CC
​ LaTeX ​ Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)+Pressão de vapor de saturação*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)
Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = 1/2*Transcondutância*Proporção da tela*(Tensão efetiva-Tensão de limiar)^2*(1+Parâmetro do dispositivo*Tensão entre Dreno e Fonte)
Corrente Base 2 do BJT
​ LaTeX ​ Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*(e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica))
Corrente Base 1 do BJT
​ LaTeX ​ Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente de saturação usando concentração de dopagem Fórmula

​LaTeX ​Vai
Corrente de saturação = (Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor*[Charge-e]*Difusividade de elétrons*(Concentração de Portadores Intrínsecos)^2)/(Largura da junção da base*Dopagem Concentração de Base)
Isat = (AE*[Charge-e]*Dn*(ni1)^2)/(Wbase*NB)

Qual é a corrente de saturação no transistor?

O transistor será polarizado de modo que a quantidade máxima de corrente de base seja aplicada, resultando em corrente de coletor máxima, resultando na queda de tensão coletor-emissor mínima que resulta na camada de depleção sendo tão pequena quanto possível e a corrente máxima fluindo através do transistor. Portanto, o transistor é comutado “Fully-ON”. Então podemos definir a “região de saturação” ou “modo ON” ao usar um transistor bipolar como uma chave como sendo, ambas as junções com polarização direta, VB> 0,7v e IC = Máximo. Para um transistor PNP, o potencial do Emissor deve ser positivo em relação à Base.

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