Corrente de saturação no transistor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Esta fórmula usa 6 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de saturação - (Medido em Ampere) - Corrente de saturação refere-se à corrente máxima que pode fluir através do transistor quando ele está totalmente ligado.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Área de junção da base do emissor - (Medido em Metro quadrado) - A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.
Difusão Eficaz - A difusão efetiva é um parâmetro relacionado ao processo de difusão dos portadores e é influenciada pelas propriedades do material e pela geometria da junção semicondutora.
Concentração Intrínseca - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Impureza total - (Medido em Metro quadrado) - A Impureza Total define as impurezas que são misturadas em átomo por unidade de área em uma base ou a quantidade de impureza adicionada a um semicondutor intrínseco varia seu nível de condutividade.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Cobrar: 5 Milicoulomb --> 0.005 Coulomb (Verifique a conversão ​aqui)
Área de junção da base do emissor: 1.75 Praça centímetro --> 0.000175 Metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
Difusão Eficaz: 0.5 --> Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca: 1.32 1 por centímetro cúbico --> 1320000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Impureza total: 3600000000 Praça centímetro --> 360000 Metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000
Avaliando ... ...
Isat = 2.1175
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.1175 Ampere --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.1175 Ampere <-- Corrente de saturação
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Raul Gupta
Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab
Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente de saturação no transistor Fórmula

​LaTeX ​Vai
Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
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