Potência de saída de RF Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)
Pout = Pin*exp(-2*α*L)+int((PRF_gen/L)*exp(-2*α*(L-x)),x,0,L)
Esta fórmula usa 2 Funções, 5 Variáveis
Funções usadas
exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança unitária na variável independente., exp(Number)
int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida sinalizada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)
Variáveis Usadas
Potência de saída de RF - (Medido em Watt) - A potência de saída de RF é a quantidade de energia de micro-ondas emitida pelo tubo após a amplificação.
Potência de entrada RF - (Medido em Watt) - A potência de entrada de RF é a quantidade de energia de micro-ondas alimentada no tubo para amplificação.
Constante de atenuação de RF - (Medido em Decibéis por metro) - Constante de atenuação de RF é a constante de atenuação do circuito, que representa a perda de intensidade do sinal à medida que ele viaja pelo circuito.
Comprimento do circuito RF - (Medido em Metro) - Comprimento do circuito de RF é o comprimento do circuito, medido na direção phi.
Energia RF gerada - (Medido em Watt) - A potência de RF gerada representa a conversão de energia da fonte CC em energia de micro-ondas dentro do tubo tipo M.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Potência de entrada RF: 57.322 Watt --> 57.322 Watt Nenhuma conversão necessária
Constante de atenuação de RF: 0.004 Neper por metro --> 0.034743558552 Decibéis por metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do circuito RF: 0.005 Metro --> 0.005 Metro Nenhuma conversão necessária
Energia RF gerada: 1.5 Watt --> 1.5 Watt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Pout = Pin*exp(-2*α*L)+int((PRF_gen/L)*exp(-2*α*(L-x)),x,0,L) --> 57.322*exp(-2*0.034743558552*0.005)+int((1.5/0.005)*exp(-2*0.034743558552*(0.005-x)),x,0,0.005)
Avaliando ... ...
Pout = 58.8018272111071
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
58.8018272111071 Watt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
58.8018272111071 58.80183 Watt <-- Potência de saída de RF
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Vignesh Naidu
Instituto Vellore de Tecnologia (VITA), Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

23 Tubo de Feixe Calculadoras

Tensão de microondas em Buncher Gap
​ Vai Tensão de microondas no Buncher Gap = (Amplitude do sinal/(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Tempo médio de trânsito))*(cos(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Inserindo hora)-cos(Frequência Angular Ressonante+(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Distância da lacuna de Buncher)/Velocidade do elétron))
Potência de saída de RF
​ Vai Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)
Ganho de potência do amplificador Klystron de duas cavidades
​ Vai Ganho de potência do amplificador Klystron de duas cavidades = (1/4)*(((Corrente do Buncher Catódico*Frequência angular)/(Tensão do Buncher Catódico*Frequência Plasmática Reduzida))^2)*(Coeficiente de acoplamento de feixe^4)*Resistência total de derivação da cavidade de entrada*Resistência total de derivação da cavidade de saída
Tensão do repelente
​ Vai Tensão do repelente = sqrt((8*Frequência angular^2*Comprimento do espaço de deriva^2*Tensão de feixe pequeno)/((2*pi*Número de oscilação)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensão de feixe pequeno
Impedância Característica da Linha Coaxial
​ Vai Impedância Característica do Cabo Coaxial = (1/(2*pi))*(sqrt(Permeabilidade relativa/Permissividade do Dielétrico))*ln(Raio do condutor externo/Raio do condutor interno)
Velocidade de fase na direção axial
​ Vai Velocidade de fase na direção axial = Passo da hélice/(sqrt(Permeabilidade relativa*Permissividade do Dielétrico*((Passo da hélice^2)+(pi*Diâmetro da hélice)^2)))
Esgotamento total para sistema WDM
​ Vai Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)
Perda média de potência no ressonador
​ Vai Perda média de potência no ressonador = (Resistência superficial do ressonador/2)*(int(((Valor de pico de intensidade magnética tangencial)^2)*x,x,0,Raio do ressonador))
Frequência de Plasma
​ Vai Frequência Plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidade de carga eletrônica DC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energia total armazenada no ressonador
​ Vai Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)
Profundidade da Pele
​ Vai Profundidade da pele = sqrt(Resistividade/(pi*Permeabilidade relativa*Frequência))
Densidade total da corrente do feixe de elétrons
​ Vai Densidade total da corrente do feixe de elétrons = -Densidade de corrente do feixe CC+Perturbação instantânea da corrente do feixe de RF
Frequência portadora na linha espectral
​ Vai Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição
Velocidade total do elétron
​ Vai Velocidade total do elétron = Velocidade do elétron DC+Perturbação instantânea da velocidade do elétron
Densidade total de carga
​ Vai Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea
Frequência Plasmática Reduzida
​ Vai Frequência Plasmática Reduzida = Frequência Plasmática*Fator de redução de carga espacial
Energia obtida da fonte de alimentação CC
​ Vai Fonte de alimentação CC = Energia gerada no circuito anódico/Eficiência Eletrônica
Potência Gerada no Circuito Ânodo
​ Vai Energia gerada no circuito anódico = Fonte de alimentação CC*Eficiência Eletrônica
Ganho máximo de tensão na ressonância
​ Vai Ganho máximo de tensão na ressonância = Transcondutância/Condutância
Potência de pico de pulso de microondas retangular
​ Vai Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho
Perda de retorno
​ Vai Perda de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexão)
Alimentação CA fornecida pela tensão do feixe
​ Vai Fonte de alimentação CA = (Tensão*Atual)/2
Energia DC fornecida pela tensão do feixe
​ Vai Fonte de alimentação CC = Tensão*Atual

Potência de saída de RF Fórmula

Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)
Pout = Pin*exp(-2*α*L)+int((PRF_gen/L)*exp(-2*α*(L-x)),x,0,L)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!