Tensão de entrada mínima de carga resistiva CMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão de entrada mínima de carga resistiva = Tensão limite de polarização zero+sqrt((8*Tensão de alimentação)/(3*Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))-(1/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*VDD)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Tensão de entrada mínima de carga resistiva - (Medido em Volt) - A tensão mínima de entrada da carga resistiva é definida como a tensão mínima de entrada que pode ser interpretada como lógica "1" quando o tipo de carga é resistência.
Tensão limite de polarização zero - (Medido em Volt) - A tensão limite de polarização zero refere-se à tensão limite de um MOSFET quando nenhuma tensão de polarização adicional é aplicada ao substrato, normalmente medida entre a porta e a fonte.
Tensão de alimentação - (Medido em Volt) - Tensão de alimentação refere-se ao nível de tensão fornecido por uma fonte de energia a um circuito ou dispositivo elétrico, servindo como diferença de potencial para fluxo e operação de corrente.
Transcondutância de NMOS - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - A transcondutância do NMOS refere-se à razão entre a mudança na corrente de dreno de saída e a mudança na tensão da porta de entrada quando a tensão da fonte de dreno é constante.
Resistência de carga - (Medido em Ohm) - Resistência de carga é a resistência apresentada pela carga externa conectada a um circuito, determinando a quantidade de corrente consumida e influenciando a tensão e distribuição de energia do circuito.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão limite de polarização zero: 1.4 Volt --> 1.4 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de alimentação: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Transcondutância de NMOS: 200 Microamperes por Volt Quadrado --> 0.0002 Ampère por Volt Quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
Resistência de carga: 2 Megohm --> 2000000 Ohm (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*VDD)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL)) --> 1.4+sqrt((8*3.3)/(3*0.0002*2000000))-(1/(0.0002*2000000))
Avaliando ... ...
VIH(RL) = 1.54582396974191
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.54582396974191 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1.54582396974191 1.545824 Volt <-- Tensão de entrada mínima de carga resistiva
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Inversores CMOS Calculadoras

Tensão máxima de entrada CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão máxima de entrada CMOS = (2*Tensão de saída para entrada máxima+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)-Tensão de alimentação+Razão de Transcondutância*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/(1+Razão de Transcondutância)
Tensão Limite CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão de limiar = (Tensão limite de NMOS sem polarização corporal+sqrt(1/Razão de Transcondutância)*(Tensão de alimentação+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)))/(1+sqrt(1/Razão de Transcondutância))
Tensão máxima de entrada para CMOS simétrico
​ LaTeX ​ Vai CMOS simétrico de tensão máxima de entrada = (3*Tensão de alimentação+2*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/8
Margem de ruído para CMOS de alto sinal
​ LaTeX ​ Vai Margem de ruído para sinal alto = Tensão máxima de saída-Tensão Mínima de Entrada

Tensão de entrada mínima de carga resistiva CMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão de entrada mínima de carga resistiva = Tensão limite de polarização zero+sqrt((8*Tensão de alimentação)/(3*Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))-(1/(Transcondutância de NMOS*Resistência de carga))
VIH(RL) = VT0+sqrt((8*VDD)/(3*Kn*RL))-(1/(Kn*RL))
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