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Puxe para baixo a corrente na região de saturação Calculadora

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✖Número de transistores de driver paralelo refere-se ao número de transistores de driver paralelo no circuito.ⓘ Número de transistores de driver paralelo [n]
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✖A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.ⓘ Mobilidade Eletrônica [μn]
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✖Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.ⓘ Capacitância de Óxido [Cox]
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✖A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.ⓘ Largura de banda [W]
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✖O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do canal [L]
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✖A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.ⓘ Tensão da Fonte da Porta [VGS]
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✖Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.ⓘ Tensão de limiar [VT]
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✖A corrente pull-down da região de saturação é a corrente através do resistor quando um resistor pull-down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação.ⓘ Puxe para baixo a corrente na região de saturação [ID(sat)]
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Puxe para baixo a corrente na região de saturação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de redução da região de saturação = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2)
ID(sat) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(VGS-VT)^2)
Esta fórmula usa 1 Funções, 8 Variáveis
Funções usadas
sum - A notação de soma ou sigma (∑) é um método usado para escrever uma soma longa de forma concisa., sum(i, from, to, expr)
Variáveis Usadas
Corrente de redução da região de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente pull-down da região de saturação é a corrente através do resistor quando um resistor pull-down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação.
Número de transistores de driver paralelo - Número de transistores de driver paralelo refere-se ao número de transistores de driver paralelo no circuito.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.
Tensão da Fonte da Porta - (Medido em Volt) - A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Número de transistores de driver paralelo: 11 --> Nenhuma conversão necessária
Mobilidade Eletrônica: 9.92 Metro quadrado por volt por segundo --> 9.92 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
Largura de banda: 2.678 Metro --> 2.678 Metro Nenhuma conversão necessária
Comprimento do canal: 3.45 Metro --> 3.45 Metro Nenhuma conversão necessária
Tensão da Fonte da Porta: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ID(sat) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(VGS-VT)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)
Avaliando ... ...
ID(sat) = 101550.118939559
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
101550.118939559 Ampere --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
101550.118939559 ≈ 101550.1 Ampere <-- Corrente de redução da região de saturação
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Créditos

Creator Image
Criado por Vignesh Naidu
Instituto Vellore de Tecnologia (VITA), Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu criou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral
​ LaTeX ​ Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
Potencial de Fermi para tipo P
​ LaTeX ​ Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
​ LaTeX ​ Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Puxe para baixo a corrente na região de saturação Fórmula

​LaTeX ​Vai
Corrente de redução da região de saturação = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2)
ID(sat) = sum(x,0,n,(μn*Cox/2)*(W/L)*(VGS-VT)^2)
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