Puxe para baixo a corrente na região de saturação Calculadora

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Transistor MOS Análise de pequenos sinais Aprimoramento do Canal N Aprimoramento do Canal P Atual Características MOSFET Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Fator de Amplificação ou Ganho Resistência Taxa de rejeição de modo comum (CMRR)Tendência Tensão Transcondutância

✖Número de transistores de driver paralelo refere-se ao número de transistores de driver paralelo no circuito.ⓘ Número de transistores de driver paralelo [n]			+10% -10%
✖A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.ⓘ Mobilidade Eletrônica [μ_n]			+10% -10%
✖Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.ⓘ Largura de banda [W]			+10% -10%
✖O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do canal [L]			+10% -10%
✖A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.ⓘ Tensão da Fonte da Porta [V_GS]			+10% -10%
✖Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%

✖A corrente pull-down da região de saturação é a corrente através do resistor quando um resistor pull-down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação.ⓘ Puxe para baixo a corrente na região de saturação [I_D(sat)]

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Fórmula

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Puxe para baixo a corrente na região de saturação

Fórmula

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

Exemplo

101550.1 A = \sum (x, 0, 11, (9.92 m²/V*s \cdot \frac{3.9 F}{2}) \cdot (\frac{2.678 m}{3.45 m}) \cdot {(29.65 V - 5.91 V)}^{2})

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Puxe para baixo a corrente na região de saturação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de redução da região de saturação = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
Esta fórmula usa 1 Funções, 8 Variáveis

Funções usadas

sum - A notação de soma ou sigma (∑) é um método usado para escrever uma soma longa de forma concisa., sum(i, from, to, expr)

Variáveis Usadas

Corrente de redução da região de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente pull-down da região de saturação é a corrente através do resistor quando um resistor pull-down é usado com um MOSFET de canal N no modo de saturação.
Número de transistores de driver paralelo - Número de transistores de driver paralelo refere-se ao número de transistores de driver paralelo no circuito.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica no MOSFET descreve a facilidade com que os elétrons podem se mover através do canal, impactando diretamente o fluxo de corrente para uma determinada tensão.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal em um MOSFET é a distância entre as regiões de fonte e dreno, determinando a facilidade com que a corrente flui e impactando o desempenho do transistor.
Tensão da Fonte da Porta - (Medido em Volt) - A tensão da fonte da porta é a tensão aplicada entre os terminais da porta e da fonte de um MOSFET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - Tensão limite é a tensão mínima porta-fonte necessária em um MOSFET para ligá-lo e permitir o fluxo de uma corrente significativa.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Número de transistores de driver paralelo: 11 --> Nenhuma conversão necessária
Mobilidade Eletrônica: 9.92 Metro quadrado por volt por segundo --> 9.92 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária
Largura de banda: 2.678 Metro --> 2.678 Metro Nenhuma conversão necessária
Comprimento do canal: 3.45 Metro --> 3.45 Metro Nenhuma conversão necessária
Tensão da Fonte da Porta: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

Avaliando ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

101550.118939559 Ampere --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

101550.118939559 ≈ 101550.1 Ampere <-- Corrente de redução da região de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Vignesh Naidu

Instituto Vellore de Tecnologia (VITA), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))

Potencial de Fermi para tipo P

Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)

Potencial de Fermi para tipo N

Vai Potencial de Fermi para tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração de dopante doador/Concentração Intrínseca de Portadores)

Capacitância equivalente de junção de sinal grande

Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

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