Profundidade da região de esgotamento associada à fonte Calculadora

Região de profundidade de esgotamento da fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis
[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Região de profundidade de esgotamento da fonte - (Medido em Metro) - A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta.
Potencial de junção integrado - (Medido em Volt) - Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)