Concentração de prótons sob condição desequilibrada Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de prótons = Concentração Intrínseca de Elétrons*exp((Nível de energia intrínseca do semicondutor-Nível de elétrons quase Fermi)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funções, 5 Variáveis
Constantes Usadas
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23
Funções usadas
exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança de unidade na variável independente., exp(Number)
Variáveis Usadas
Concentração de prótons - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de prótons refere-se à densidade ou abundância de prótons em um determinado material ou dispositivo. Os prótons são partículas subatômicas encontradas no núcleo de um átomo.
Concentração Intrínseca de Elétrons - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração intrínseca de elétrons é o não. de portadores de carga em um semicondutor quando ele está em equilíbrio térmico.
Nível de energia intrínseca do semicondutor - (Medido em Joule) - O nível de energia intrínseca do semicondutor refere-se ao nível de energia associado aos elétrons na ausência de quaisquer impurezas ou influências externas.
Nível de elétrons quase Fermi - (Medido em Joule) - Nível de elétrons quase Fermi é o nível de energia efetivo para elétrons em uma condição de não equilíbrio. Representa a energia até a qual os elétrons são povoados.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração Intrínseca de Elétrons: 3.6 Elétrons por metro cúbico --> 3.6 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Nível de energia intrínseca do semicondutor: 3.78 Electron-Volt --> 6.05623030740003E-19 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
Nível de elétrons quase Fermi: 3.7 Electron-Volt --> 5.92805612100003E-19 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T)) --> 3.6*exp((6.05623030740003E-19-5.92805612100003E-19)/([BoltZ]*393))
Avaliando ... ...
pc = 38.2131068309601
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
38.2131068309601 Elétrons por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
38.2131068309601 38.21311 Elétrons por metro cúbico <-- Concentração de prótons
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Gowthaman N.
Instituto Vellore de Tecnologia (Universidade VIT), Chennai
Gowthaman N. criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Dispositivos fotônicos Calculadoras

Mudança de fase líquida
​ LaTeX ​ Vai Mudança de fase líquida = pi/Comprimento de onda da luz*(Índice de refração)^3*Comprimento da fibra*Tensão de alimentação
Potência óptica irradiada
​ LaTeX ​ Vai Potência óptica irradiada = Emissividade*[Stefan-BoltZ]*Área de Fonte*Temperatura^4
Número do modo
​ LaTeX ​ Vai Número do modo = (2*Comprimento da Cavidade*Índice de refração)/Comprimento de onda do fóton
Comprimento da Cavidade
​ LaTeX ​ Vai Comprimento da Cavidade = (Comprimento de onda do fóton*Número do modo)/2

Concentração de prótons sob condição desequilibrada Fórmula

​LaTeX ​Vai
Concentração de prótons = Concentração Intrínseca de Elétrons*exp((Nível de energia intrínseca do semicondutor-Nível de elétrons quase Fermi)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
pc = ni*exp((Ei-Fn)/([BoltZ]*T))
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