Tempo de propagação Calculadora

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Fabricação de IC MOS Fabricação de CI bipolar Gatilho Schmitt

✖Número de transistores de passagem é o número de transistores usados para transferir sinais de uma parte do circuito para outra.ⓘ Número de transistores de passagem [N]			+10% -10%
✖A resistência no MOSFET refere-se à oposição ao fluxo de corrente no circuito.ⓘ Resistência em MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖Capacitância de carga refere-se à capacitância total que um dispositivo vê em sua saída, normalmente devido à capacitância das cargas conectadas e aos traços em uma placa de circuito impresso (PCB).ⓘ Capacitância de Carga [C_l]			+10% -10%

✖O tempo de propagação refere-se ao tempo que leva para um sinal se propagar através do transistor da entrada até a saída.ⓘ Tempo de propagação [T_p]

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Tempo de propagação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Tempo de propagação - (Medido em Segundo) - O tempo de propagação refere-se ao tempo que leva para um sinal se propagar através do transistor da entrada até a saída.
Número de transistores de passagem - Número de transistores de passagem é o número de transistores usados para transferir sinais de uma parte do circuito para outra.
Resistência em MOSFET - (Medido em Ohm) - A resistência no MOSFET refere-se à oposição ao fluxo de corrente no circuito.
Capacitância de Carga - (Medido em Farad) - Capacitância de carga refere-se à capacitância total que um dispositivo vê em sua saída, normalmente devido à capacitância das cargas conectadas e aos traços em uma placa de circuito impresso (PCB).

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Número de transistores de passagem: 13 --> Nenhuma conversão necessária
Resistência em MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Carga: 22.54 Microfarad --> 2.254E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Avaliando ... ...

T_p = 0.778202516

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.778202516 Segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.778202516 ≈ 0.778203 Segundo <-- Tempo de propagação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Efeito Corporal no MOSFET

LaTeX Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Resistência do Canal

LaTeX Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

LaTeX Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Ver mais >>

Tempo de propagação Fórmula

LaTeX Vai

Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

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