Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Calculadora

✖A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.ⓘ Transcondutância [g_m]			+10% -10%
✖A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonteⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%
✖Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno [k'_n]

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Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)
k'_n = g_m^2/(2*WL*i_d)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária
Corrente de drenagem: 0.08 Miliamperes --> 8E-05 Ampere (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

k'_n = g_m^2/(2*WL*i_d) --> 0.0005^2/(2*0.1*8E-05)

Avaliando ... ...

k'_n = 0.015625

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.015625 Ampère por Volt Quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.015625 Ampère por Volt Quadrado <-- Parâmetro de Transcondutância do Processo

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

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Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

LaTeX Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Transcondutância dada a corrente de drenagem

LaTeX Vai Transcondutância = sqrt(2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

LaTeX Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem

Drenar corrente usando transcondutância

LaTeX Vai Corrente de drenagem = (Tensão de ultrapassagem)*Transcondutância/2

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Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno Fórmula

LaTeX Vai

Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)
k'_n = g_m^2/(2*WL*i_d)

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância para um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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