Potencial do dreno para a fonte Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Fabricação VLSI Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Projeto VLSI analógico Otimização de materiais VLSI

✖Tensão Limiar dibl é definida como a tensão mínima exigida pela junção da fonte do potencial do corpo, quando a fonte está no potencial do corpo.ⓘ Tensão Limite DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%
✖O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.ⓘ Coeficiente DIBL [η]			+10% -10%

✖Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.ⓘ Potencial do dreno para a fonte [V_ds]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Eletrônicos Fórmula PDF PDF Image

Potencial do dreno para a fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar para Potencial de Fonte - (Medido em Volt) - Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.
Tensão Limite DIBL - (Medido em Volt) - Tensão Limiar dibl é definida como a tensão mínima exigida pela junção da fonte do potencial do corpo, quando a fonte está no potencial do corpo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Coeficiente DIBL - O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Limite DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Coeficiente DIBL: 0.2 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ds = (V_t0-V_t)/η --> (0.59-0.3)/0.2

Avaliando ... ...

V_ds = 1.45

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.45 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.45 Volt <-- Drenar para Potencial de Fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Fabricação VLSI » Projeto VLSI analógico » Potencial do dreno para a fonte

Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< Projeto VLSI analógico Calculadoras

Porta para capacitância base

LaTeX Vai Porta para capacitância base = Capacitância do portão-(Porta para capacitância de fonte+Porta para drenar a capacitância)

Tensão de drenagem

LaTeX Vai Tensão do Coletor Base = sqrt(Potência Dinâmica/(Frequência*Capacitância))

Gate to Channel Voltage

LaTeX Vai Tensão do portão para o canal = (Taxa de canal/Capacitância do portão)+Tensão de limiar

Potencial de porta para coletor

LaTeX Vai Tensão do portão para o canal = (Potencial de porta para fonte+Potencial de porta para drenagem)/2

Ver mais >>

Potencial do dreno para a fonte Fórmula

LaTeX Vai

Drenar para Potencial de Fonte = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Coeficiente DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η

O que é região de depleção?

Quando a voltagem positiva é transmitida através do Gate, ela faz com que os orifícios livres (carga positiva) sejam empurrados para trás ou repelidos da região do substrato sob o Gate. Quando esses orifícios são empurrados para baixo no substrato, eles deixam para trás uma região de depleção do portador.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!