Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Calculadora

✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão Gate-Fonte [V_gs]			+10% -10%
✖A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.ⓘ Frequência angular [ω]			+10% -10%
✖A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância da porta de origem [C_sg]			+10% -10%
✖A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância Gate-Dreno [C_gd]			+10% -10%

✖A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.ⓘ Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET [I_in]

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Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de entrada - (Medido em Ampere) - A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Frequência angular - (Medido em Radiano por Segundo) - A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.
Capacitância da porta de origem - (Medido em Farad) - A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).
Capacitância Gate-Dreno - (Medido em Farad) - A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Frequência angular: 33 Radiano por Segundo --> 33 Radiano por Segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância da porta de origem: 8.16 Microfarad --> 8.16E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância Gate-Dreno: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))

Avaliando ... ...

I_in = 0.00200112

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00200112 Ampere -->2.00112 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

2.00112 Miliamperes <-- Corrente de entrada

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Fórmula

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Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
I_in = V_gs*(ω*(C_sg+C_gd))

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe o modo de esgotamento e o modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de aprimoramento vem em um N ou um P.

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