Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de entrada - (Medido em Ampere) - A corrente de entrada pode se referir à corrente elétrica que flui para um dispositivo ou circuito elétrico. Esta corrente pode ser AC ou DC dependendo do dispositivo e da fonte de alimentação.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Frequência angular - (Medido em Radiano por Segundo) - A frequência angular da onda refere-se ao deslocamento angular por unidade de tempo. É uma medida escalar da taxa de rotação.
Capacitância da porta de origem - (Medido em Farad) - A capacitância da porta da fonte é uma medida da capacitância entre os eletrodos da fonte e da porta em um transistor de efeito de campo (FET).
Capacitância Gate-Dreno - (Medido em Farad) - A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Frequência angular: 33 Radiano por Segundo --> 33 Radiano por Segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância da porta de origem: 8.16 Microfarad --> 8.16E-06 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância Gate-Dreno: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd)) --> 4*(33*(8.16E-06+7E-06))
Avaliando ... ...
Iin = 0.00200112
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00200112 Ampere -->2.00112 Miliamperes (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
2.00112 Miliamperes <-- Corrente de entrada
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Tensão Calculadoras

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum
Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vai
Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Iin = Vgs*(ω*(Csg+Cgd))

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe o modo de esgotamento e o modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de aprimoramento vem em um N ou um P.

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