Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal
V = VA*L
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão - (Medido em Volt) - Tensão é a diferença de potencial elétrico entre dois pontos, que é definida como o trabalho necessário por unidade de carga para mover uma carga de teste entre os dois pontos.
Parâmetro do dispositivo - (Medido em Volt) - O parâmetro do dispositivo é o parâmetro usado no cálculo relacionado ao MOSFET.VA é proporcional ao comprimento do canal L que o projetista seleciona para um MOSFET.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro do dispositivo: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
V = VA*L --> 4*3E-06
Avaliando ... ...
V = 1.2E-05
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.2E-05 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1.2E-05 1.2E-5 Volt <-- Tensão
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal
V = VA*L

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe o modo de esgotamento e o modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de aprimoramento vem em um N ou um P.

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