✖A largura da região de depleção em um diodo de Si típico varia de uma fração de micrômetro a dezenas de micrômetros, dependendo da geometria do dispositivo, do perfil de dopagem e da polarização externa.ⓘ Largura da região de esgotamento [Ld] | | | +10% -10% |
✖O comprimento efetivo do canal é definido como o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.ⓘ Comprimento Efetivo do Canal [Leff] | | | +10% -10% |