Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI Calculadora

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✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%
✖A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.ⓘ Tensão interna de junção [Ø₀]			+10% -10%
✖Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.ⓘ Drenar para Potencial de Fonte [V_ds]			+10% -10%

✖A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno.ⓘ Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI [x_dD]

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Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentração do aceitante))*(Tensão interna de junção+Drenar para Potencial de Fonte))
x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno - (Medido em Metro) - A profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno é definida como a extensão da região de esgotamento no material semicondutor próximo ao terminal de dreno.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Tensão interna de junção - (Medido em Volt) - A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.
Drenar para Potencial de Fonte - (Medido em Volt) - Dreno para a fonte O potencial é o potencial entre o dreno e a fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Tensão interna de junção: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Nenhuma conversão necessária
Drenar para Potencial de Fonte: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

x_dD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N_A))*(Ø₀+V_ds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))

Avaliando ... ...

x_dD = 5.34466520692296E-07

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.34466520692296E-07 Metro -->0.534466520692296 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.534466520692296 ≈ 0.534467 Micrômetro <-- Profundidade de esgotamento da junção Pn com dreno

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Coeficiente de Efeito Corporal

LaTeX Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

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LaTeX Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

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