Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Fabricação VLSI Amplificadores Antena e propagação de ondas Circuitos Integrados (CI)Mais >>

⤿

Otimização de materiais VLSI Projeto VLSI analógico

✖A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.ⓘ Tensão interna de junção [Ø₀]			+10% -10%
✖Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração do aceitante [N_A]			+10% -10%

✖A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico.ⓘ Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI [x_dS]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Fórmula

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Exemplo

0.313423 μm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76 V}{[Charge-e] \cdot 1e+16 /cm³}}

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Eletrônicos Fórmula PDF PDF Image

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 3 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo Valor considerado como 8.85E-12
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte - (Medido em Metro) - A profundidade de esgotamento da junção Pn com a fonte é definida como a região ao redor de uma junção pn onde os portadores de carga foram esgotados devido à formação de um campo elétrico.
Tensão interna de junção - (Medido em Volt) - A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão interna de junção: 0.76 Volt --> 0.76 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Ø₀)/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22))

Avaliando ... ...

x_dS = 3.13423217933622E-07

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.13423217933622E-07 Metro -->0.313423217933622 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.313423217933622 ≈ 0.313423 Micrômetro <-- Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Fabricação VLSI » Otimização de materiais VLSI » Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Créditos

Criado por Priyanka Patel

Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Ver mais >>