Permissividade da Camada de Óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)
Esta fórmula usa 5 Variáveis
Variáveis Usadas
Permissividade da camada de óxido - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade da camada de óxido é definida como a capacidade de uma substância armazenar energia elétrica em um campo elétrico.
Espessura da Camada de Óxido - (Medido em Metro) - A espessura da camada de óxido é determinada durante a tecnologia de processo usada para fabricar o MOSFET.
Capacitância da porta de entrada - (Medido em Farad) - A capacitância da porta de entrada em CMOS refere-se à capacitância entre os terminais de entrada de um circuito CMOS e o potencial de referência (geralmente terra).
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.
Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Espessura da Camada de Óxido: 4.98 Milímetro --> 0.00498 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância da porta de entrada: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do portão: 7 Milímetro --> 0.007 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
εox = tox*Cin/(Wg*Lg) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)
Avaliando ... ...
εox = 0.149799398496241
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.149799398496241 Farad por Metro -->149.799398496241 Microfarad por Milímetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
149.799398496241 149.7994 Microfarad por Milímetro <-- Permissividade da camada de óxido
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Características do circuito CMOS Calculadoras

CMOS significa caminho livre
​ LaTeX ​ Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
​ LaTeX ​ Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
​ LaTeX ​ Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Permissividade da Camada de Óxido Fórmula

​LaTeX ​Vai
Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)

Quais são as regiões de operação nos transistores MOS?

Os transistores MOS têm três regiões de operação que incluem, região de corte ou sublimiar, região linear e região de saturação.

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