Capacitância de óxido de NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
Esta fórmula usa 2 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
Espessura De Óxido - (Medido em Metro) - A espessura do óxido refere-se à espessura de uma fina camada de material de óxido que é formada na superfície de um substrato, normalmente um material semicondutor como o silício.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Espessura De Óxido: 17 Micrômetro --> 1.7E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
Avaliando ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.02941176470588E-06 Farad -->2.02941176470588 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
2.02941176470588 2.029412 Microfarad <-- Capacitância de Óxido
(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)
Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
​ LaTeX ​ Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*Tensão da Fonte de Dreno^2)
NMOS como resistência linear
​ LaTeX ​ Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
​ LaTeX ​ Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Capacitância de óxido de NMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

O que é capacitância de óxido?

É a razão de permissividade do dióxido de silício que é 3,45 × 10

Explique todo o processo da região do canal do MOSFET formando um capacitor de placa paralela.

A porta e a região do canal do MOSFET formam um capacitor de placa paralela, com a camada de óxido atuando como o dielétrico do capacitor. A tensão da porta positiva faz com que uma carga positiva se acumule na placa superior do capacitor (o eletrodo da porta). A carga negativa correspondente na placa inferior é formada pelos elétrons no canal induzido. Um campo elétrico, portanto, se desenvolve na direção vertical. É este campo que controla a quantidade de carga no canal e, portanto, determina a condutividade do canal e, por sua vez, a corrente que fluirá através do canal quando uma tensão for aplicada.

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