Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala
Coxide' = Coxide*Sf
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de óxido após escala completa - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido após a escala completa é referida à nova capacitância após a redução das dimensões do MOSFET pela escala completa.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Fator de escala - O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de Óxido por Unidade de Área: 0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
Fator de escala: 1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Coxide' = Coxide*Sf --> 0.000703*1.5
Avaliando ... ...
Coxide' = 0.0010545
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0010545 Farad por metro quadrado -->0.10545 Microfarad por centímetro quadrado (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
0.10545 Microfarad por centímetro quadrado <-- Capacitância de óxido após escala completa
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Coeficiente de Efeito Corporal
​ Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Coeficiente DIBL
​ Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
​ Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão Crítica
​ Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI Fórmula

Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala
Coxide' = Coxide*Sf
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