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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
ⓘ
Capacitância de Óxido por Unidade de Área [C
oxide
]
Farad por metro quadrado
Microfarad por centímetro quadrado
Microfarad por Milímetro Quadrado
Nanofarad por centímetro quadrado
+10%
-10%
✖
O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ⓘ
Fator de escala [Sf]
+10%
-10%
✖
A capacitância de óxido após a escala completa é referida à nova capacitância após a redução das dimensões do MOSFET pela escala completa.
ⓘ
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI [C
oxide
']
Farad por metro quadrado
Microfarad por centímetro quadrado
Microfarad por Milímetro Quadrado
Nanofarad por centímetro quadrado
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Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de óxido após escala completa
-
(Medido em Farad por metro quadrado)
- A capacitância de óxido após a escala completa é referida à nova capacitância após a redução das dimensões do MOSFET pela escala completa.
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
-
(Medido em Farad por metro quadrado)
- A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.
Fator de escala
- O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de Óxido por Unidade de Área:
0.0703 Microfarad por centímetro quadrado --> 0.000703 Farad por metro quadrado
(Verifique a conversão
aqui
)
Fator de escala:
1.5 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
C
oxide
' = C
oxide
*Sf -->
0.000703*1.5
Avaliando ... ...
C
oxide
'
= 0.0010545
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0010545 Farad por metro quadrado -->0.10545 Microfarad por centímetro quadrado
(Verifique a conversão
aqui
)
RESPOSTA FINAL
0.10545 Microfarad por centímetro quadrado
<--
Capacitância de óxido após escala completa
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Coeficiente de Efeito Corporal
LaTeX
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Coeficiente DIBL
LaTeX
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
LaTeX
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Crítica
LaTeX
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
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Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI Fórmula
LaTeX
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Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
C
oxide
'
=
C
oxide
*
Sf
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