Capacitância de sobreposição do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Coc = Wc*Cox*Lov
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de sobreposição - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Comprimento da sobreposição - (Medido em Metro) - O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento da sobreposição: 40.6 Micrômetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Coc = Wc*Cox*Lov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05
Avaliando ... ...
Coc = 3.8164E-13
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
3.8164E-07 3.8E-7 Microfarad <-- Capacitância de sobreposição
(Cálculo concluído em 00.008 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Frequência de Transição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ LaTeX ​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Capacitância de sobreposição do MOSFET Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Coc = Wc*Cox*Lov

Como o MOSFET atua como capacitor?

Simplificando, o DRENO e a FONTE do MOSFET atuam como as placas condutoras em um capacitor por causa da porta isolada. Os MOSFETs se comportam como dispositivos eletrocondutores, que é o equivalente a uma capacitância controlada por tensão.

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