Tensão Overdrive do PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)
Vov = VGS-modulus(VT)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis
Funções usadas
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus
Variáveis Usadas
Tensão efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão entre Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vov = VGS-modulus(VT) --> 2.86-modulus(0.7)
Avaliando ... ...
Vov = 2.16
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.16 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.16 Volt <-- Tensão efetiva
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)
Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd
​ LaTeX ​ Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte
Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov
​ LaTeX ​ Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Tensão Overdrive do PMOS Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)
Vov = VGS-modulus(VT)

Por que a tensão limite é negativa no PMOS?

Normalmente, a tensão limite é a tensão Vgs necessária para iniciar a formação do canal, conhecido como inversão de canal. No caso de PMOS, o bulk / substrate e os terminais de origem são conectados ao Vdd. Com referência ao terminal da fonte, se você começar a reduzir a tensão da porta de Vdd (exatamente oposto ao NMOS, onde você começa a tensão da porta do zero) para um ponto onde você observa a inversão do canal, neste ponto se você calcular Vgs e a fonte sendo no potencial mais alto, você obtém um valor negativo. É por isso que você tem um valor negativo de Vth para um PMOS. Com um argumento semelhante, você verá que o NMOS terá um Vth positivo.

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